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廣東介電常數(shù)測試儀介質(zhì)損耗

發(fā)布時(shí)間:  2024-08-11

產(chǎn)品型號:  GDAT-A

產(chǎn)品報(bào)價(jià):  

廠商性質(zhì):  生產(chǎn)廠家

所  在  地:  北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號

產(chǎn)品特點(diǎn):  廣東介電常數(shù)測試儀介質(zhì)損耗是用于衡量絕緣體儲存電能的性能. 它是兩塊金屬板之間以絕緣材料為介質(zhì)時(shí)的電容量與同樣的兩塊板之間以空氣為介質(zhì)或真空時(shí)的電容量之比。

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產(chǎn)品概述

廣東介電常數(shù)測試儀介質(zhì)損耗GDAT高頻Q表的全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡便。操作者能在任意點(diǎn)頻率或電容值的條件下檢測Q值甚至tanδ,無須關(guān)注量程和換算,*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況,它無疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測量的理想工具。

數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測量控件(裝入GDAT),實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計(jì)算的微處理化,tanδ 測量結(jié)果的獲得無須繁瑣的人工處理,因而提高了數(shù)據(jù)的精確度和測量的同一性,是人工讀值和人工計(jì)算*的。

介電體(又稱電介質(zhì))基本的物理性質(zhì)是它的介電性,對介電性的研究不但在電介質(zhì)材料的應(yīng)用上具有重要意義,而且也是了解電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和激化機(jī)理的重要分析手段之一,探索高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料,對電子工業(yè)元器件的小型化有著重要的意義。介電常數(shù)(又稱電容率)是反映材料特性的重要參量,電介質(zhì)極化能力越強(qiáng),其介電常數(shù)就越大。測量介電常數(shù)的方法很多,常用的有比較法,替代法,電橋法,諧振法,Q表法,直流測量法和微波測量法等。各種方法各有特點(diǎn)和適用范圍,因而要根據(jù)材料的性能,樣品的形狀和尺寸大小及所需測量的頻率范圍等選擇適當(dāng)?shù)臏y量方法。


廣東介電常數(shù)測試儀介質(zhì)損耗技術(shù)指標(biāo):

2.1 tanδ和ε性能:

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范圍:

tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

2.1.3 tanδ和ε測量精度(1MHz):

tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

工作頻率范圍:50kHz~50MHz    四位數(shù)顯,壓控振蕩器

Q值測量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍:40~500 pF  ΔC±3pF

電容測量誤差:±1%±1pF

Q表殘余電感值:約20nH

介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀裝置:

2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

介電常數(shù)測量技術(shù)在民用,工業(yè)以及軍事等各個(gè)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。本文主要對介電常數(shù)測量的常用方法進(jìn)
行了綜合論述。首先對國家標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了對比總結(jié);然后分別論述了幾種常用測量方法的基本原理、適用范圍、
優(yōu)缺點(diǎn)及發(fā)展近況;后對幾種測量方法進(jìn)行了對比總結(jié),得出結(jié)論。

介電常數(shù)是物體的重要物理性質(zhì),對介電常數(shù)的研究有重要的理論和應(yīng)用意義。電氣工程中的電介質(zhì)問題、電磁兼容問題、生物醫(yī)學(xué)、微波、電子技術(shù)食品加工和地質(zhì)勘探中,無一不利用到物質(zhì)的電磁特性,對介電常數(shù)的測量提出了要求。目前對介電常數(shù)測量方法的應(yīng)用可以說是遍及民用、工業(yè)、國防的各個(gè)領(lǐng)域

在食品加工行業(yè)當(dāng)中,儲藏、加工、滅菌、分級及質(zhì)檢等方面都廣泛采用了介電常數(shù)的測量技術(shù)。例如,通過測量介電常數(shù)的大小,新鮮果蔬品質(zhì)、含水率、發(fā)酵和干燥過程中的一些指標(biāo)都得到間接體現(xiàn),此外,根據(jù)食品的介電常數(shù)、含水率確定殺菌時(shí)間和功率密度等工藝參數(shù)也是重要的應(yīng)用之一[1]。在路基壓實(shí)質(zhì)量檢測和評價(jià)中,如果利用常規(guī)的方法,盡管測量結(jié)果比較準(zhǔn)確,但工作量大、周期長、速度慢且對路面造成破壞。由于土體的含水量、溫度及密度都會(huì)對其介電特性產(chǎn)生不同程度的影響,因此可以采用雷達(dá)對整個(gè)區(qū)域進(jìn)行測試以反算出介電常數(shù)的數(shù)值,通過分析介電性得到路基的密度及壓實(shí)度等參數(shù),達(dá)到快速測量路基的密度及壓實(shí)度的目的[2]。此外,復(fù)介電常數(shù)測量技術(shù)還在水土污染的監(jiān)測中得到了應(yīng)用[3]。并且還可通過對巖石介電常數(shù)的測量對地震進(jìn)行預(yù)報(bào)[4]。上面說的是介電常數(shù)測量在民用方面的部分應(yīng)用,其在工業(yè)上也有重要的應(yīng)用。典型的例子有低介電常數(shù)材料在超大規(guī)模集成電路工藝中的應(yīng)用以及高介電常數(shù)材料在半導(dǎo)體儲存器件中的應(yīng)用。在集成電路工藝中,隨著晶體管密度的不斷增加和線寬的不斷減小,互聯(lián)中電容和電阻的寄生效應(yīng)不斷增大,傳統(tǒng)的絕緣材料二氧化硅被低介電常數(shù)材料所代替是必然的。目前Applied Materials BlackDiamond 作為低介電常數(shù)材料,已經(jīng)應(yīng)用于集成電路的商業(yè)化生產(chǎn)[5]。在半導(dǎo)體儲存器件中,利用高介電常數(shù)材料能夠解決半導(dǎo)體器件尺寸縮小而導(dǎo)致的柵氧層厚度極限的問題,同時(shí)具備特殊的物理特性,可以實(shí)現(xiàn)具有特殊性能的新器件[6]。在軍事方面,介電常數(shù)測量技術(shù)也廣泛應(yīng)用于雷達(dá)和各種特
殊材料的制造與檢測當(dāng)中。對介電常數(shù)測量技術(shù)的應(yīng)用可以說是不勝枚舉。介電常數(shù)的測量技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于民用、工業(yè)和國防各個(gè)領(lǐng)域,并且有發(fā)展的空間和必要性。我們對測量介電常數(shù)的方法進(jìn)行總結(jié),能更清晰的認(rèn)識測量方法的現(xiàn)狀,為某些應(yīng)用提供一種可能適合的方法,是有一定理論和工程應(yīng)用意義的。

.介電常數(shù)測量方法綜述介電常數(shù)的測量按材質(zhì)分類可以分為對固體、液體、氣體以及粉末(顆粒)的測量[7]。固體電介質(zhì)在測量時(shí)應(yīng)用為廣泛,通常可以分為對固定形狀大小的固體和對形狀不確定的固體的測量。相對于固體,液體和氣體的測試方法較少。對于液體,可以采用波導(dǎo)反射法測量其介電常數(shù),誤差在5%左右[8]。此外國家標(biāo)準(zhǔn)中給出了在90℃、工頻條件下測量液體損耗角正切及介電常數(shù)的方法[9]。對于氣體,具體測試方法少且精度都不十分高。文獻(xiàn)[10]中給出一種測量方法,以測量共振頻率為基礎(chǔ),在LC 串聯(lián)諧振電路中產(chǎn)生震蕩,利用數(shù)字頻率計(jì)測量諧振頻率,不斷改變壓強(qiáng)和記錄當(dāng)前壓強(qiáng)下諧振頻率,后用作圖或者一元線性回歸法處理數(shù)據(jù),得到電容變化率進(jìn)而計(jì)算出相對介電常數(shù)。


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